88E1111-B2-BAB1I000背照技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器采用的是正照技術(shù)（Frontside Illumination, FSI），即光線(xiàn)從傳感器的前表面進(jìn)入。然而，這種設(shè)計(jì)存在一些固有的局限性。例如，光線(xiàn)在進(jìn)入傳感器之前需要穿過(guò)金屬線(xiàn)和其他層，這會(huì)導(dǎo)致光線(xiàn)的散射和吸收，從而影響圖像質(zhì)量。背照技術(shù)則解決了這些問(wèn)題。在BSI結(jié)構(gòu)中，光線(xiàn)從傳感器的背面進(jìn)入，這樣可以避免光線(xiàn)穿過(guò)金屬層，從而大大提高了光的利用效率和圖像質(zhì)量。
BSI技術(shù)的另一個(gè)重要優(yōu)勢(shì)是提高了傳感器的感光度。由于光線(xiàn)可以更直接地到達(dá)光敏區(qū)域，BSI傳感器在低光環(huán)境下的性能得到了顯著提升。這對(duì)于許多應(yīng)用場(chǎng)景，如夜間拍攝、醫(yī)療成像和安防監(jiān)控等，都具有重要意義。
88E1111-B2-BAB1I000 X-FAB的技術(shù)創(chuàng)新
X-FAB在其CMOS傳感器工藝平臺(tái)中引入BSI技術(shù)，是其技術(shù)創(chuàng)新的又一重要里程碑。X-FAB擁有豐富的CMOS工藝經(jīng)驗(yàn)和深厚的技術(shù)積累，通過(guò)引入BSI技術(shù)，進(jìn)一步提升了其CIS工藝平臺(tái)的性能和競(jìng)爭(zhēng)力。
為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，X-FAB進(jìn)行了大量的研發(fā)工作，優(yōu)化了工藝流程和材料選擇，確保BSI技術(shù)能夠在其現(xiàn)有的CMOS工藝平臺(tái)上順利實(shí)施。此外，X-FAB還開(kāi)發(fā)了專(zhuān)門(mén)的測(cè)試和驗(yàn)證方法，以確保BSI傳感器的高質(zhì)量和高可靠性。
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詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱(chēng) 參數(shù)值
是否無(wú)鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1814872857
零件包裝代碼 BGA
包裝說(shuō)明 ROHS COMPLIANT, TFBGA-117
針數(shù) 117
Reach Compliance Code not_compliant
HTS代碼 8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 6.88
YTEOL 9
JESD-30 代碼 R-PBGA-B117
長(zhǎng)度 14 mm
功能數(shù)量 1
端子數(shù)量 117
收發(fā)器數(shù)量 1
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 LBGA
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
座面最大高度 1.54 mm
標(biāo)稱(chēng)供電電壓 1 V
表面貼裝 YES
技術(shù) CMOS
電信集成電路類(lèi)型 ETHERNET TRANSCEIVER
端子形式 BALL
端子節(jié)距 1 mm
端子位置 BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間 NOT SPECIFIED
寬度 10 mm
毅創(chuàng)騰新到現(xiàn)貨：
MAX999EUK+T
MAX811TEUS+T
MAX13487EESA+T
MAX4372TEUK+T
DS2480B+T&R
DS3234SN#T&R
MAX823SEUK+T
MAX13085EESA+T
DS2438Z+T&R
DS3232SN#T&R
MAX3088ESA+T
MAX706RESA+T
MAX706TESA+T
DS3231SN#T&R
MAX4644EUT+T
DS24B33S+T&R
MAX4372FEUK+T
MAX3087EESA+T
MAX13253ATB+T
AM26LV32EIPWR
CC2640R2FRSMR
CSD85301Q2
DAC7551IDRNR
DRV5032FBDBZR
DRV8701ERGER
ISO3088DWR
LM22671MRX-ADJ/NOPB
LM2592HVSX-ADJ/NOPB
LM2597MX-5.0/NOPB
LM2664M6X/NOPB
LM2672MX-5.0/NOPB
LM2907MX-8/NOPB
LM2941LDX/NOPB
LM324MTX/NOPB
LM4862MX/NOPB
LM5165XDRCR
LM7301IMX/NOPB
LMC6482IMMX/NOPB
LMC662AIMX/NOPB
LMC7211AIM5X/NOPB
LMR16030PDDAR
LP2985AIM5X-5.0/NOPB
LP38690DTX-3.3/NOPB
OPA197IDBVR
OPA197IDR
OPA991IDBVR
REF3450TIDBVR
SN65HVD3082EDGKR
SN74AVC4T245RSVR
SN74LVC1T45DCKR
TLV2314IDGKR
TLV274QPWRG4Q1
TLV7031QDBVRQ1
TLV7034RTER
TLV9001SIDCKR
TPS22918DBVR
TPS3813K33DBVR
TS5A12301EYFPR
88E1111-B2-BAB1I000 挑戰(zhàn)與未來(lái)發(fā)展
盡管BSI技術(shù)具有眾多優(yōu)勢(shì)，但其引入和實(shí)施也面臨一些挑戰(zhàn)。例如，BSI工藝的制造成本相對(duì)較高，需要額外的設(shè)備和材料。此外，BSI技術(shù)的良率控制和質(zhì)量保證也需要特別關(guān)注，以確保量產(chǎn)過(guò)程中不會(huì)出現(xiàn)大規(guī)模的質(zhì)量問(wèn)題。
88E1111-B2-BAB1I000 然而，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的推動(dòng)，BSI技術(shù)的成本有望逐步下降。同時(shí)，通過(guò)不斷優(yōu)化工藝流程和提升制造水平，BSI傳感器的良率和質(zhì)量也將得到進(jìn)一步提高。
展望未來(lái)，X-FAB將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和工藝優(yōu)化，不斷提升其CIS工藝平臺(tái)的性能和競(jìng)爭(zhēng)力。通過(guò)引入BSI技術(shù)，X-FAB不僅為客戶(hù)提供了更高質(zhì)量的FST3257QSCX傳感器解決方案，也為自身在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
